长鑫存储官方网站已经公开列出自家符合国际通行标准规范的DDR4内存芯片、DDR4内存条、LPDDR4X内存芯片，长鑫已开始接受上述产品的技术和销售咨询，相信它们很快就会出现在市面上。
根据此前消息，这些芯片都采用国产第一代10nm级工艺制造，预计到2020年底月产能可达4万片晶圆。据介绍，长鑫DDR4内存芯片可匹配主流市场需求，支持多领域应用、多产品组合，并有充分的可靠性保障。
长鑫存储提供单颗容量8Gb(1GB)，频率2666MHz，电压，工作温度0℃至95℃，78ball、96ball FBGA两种封装样式。长鑫特别这是第一颗国产的DDR4内存芯片。DDR4内存条是长鑫自主开发设计，搭载原厂颗粒，种类齐全，提供UDIMM桌面型、SO-DIMM笔记本型，容量均为单条8GB，频率2666MHz，电压，工作温度0℃至95℃。
LPDDR4X内存芯片号称匹配主流需求，兼备高速度与低功耗，可提供超高续航能力、超低功耗设计、稳定流畅体验，规格方面单颗容量2GB、4GB，频率3733MHz，电压、、，工作温度-30℃至85℃，200ball FBGA封装。
长鑫存储从Polaris获得大量DRAM技术专利的实施许可，这些专利来自Polaris 2015年6月从奇梦达母公司英飞凌购得的专利组合。
长鑫存储2016年5月在安徽合肥启动，总投资1500亿元，专业从事DRAM内存的研发、生产和销售，目前已建成第一座300毫米晶圆厂并投产，并通过专用研发线快速迭代研发，结合当前先进设备大幅度改进工艺，开发出了独有的技术体系。
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